王芳wangfang
(1)热敏性半导体材料的电阻率与温度有密切的关系。温度升高,半导体的电阻率会明显变小。例如纯锗(ge),温度每升高10度,其电阻率就会减少到原来的一半。(2)光电特性很多半导体材料对光十分敏感,无光照时,不易导电;受到光照时,就变的容易导电了。例如,常用的硫化镉半导体光敏电阻,在无光照时电阻高达几十兆欧,受到光照时电阻会减小到几十千欧。半导体受光照后电阻明显变小的现象称为“光导电”。利用光导电特性制作的光电器件还有光电二极管和光电三极管等。近年来广泛使用着一种半导体发光器件--发光二极管,它通过电流时能够发光,把电能直接转成光能。目前已制作出发黄,绿,红,蓝几色的发光二极管,以及发出不可见光红外线的发光二极管。另一种常见的光电转换器件是硅光电池,它可以把光能直接转换成电能,是一种方便的而清洁的能源。(3)搀杂特性纯净的半导体材料电阻率很高,但掺入极微量的“杂质”元素后,其导电能力会发生极为显著的变化。例如,纯硅的电阻率为214×1000欧姆/厘米,若掺入百万分之一的硼元素,电阻率就会减小到4欧姆/厘米。因此,人们可以给半导体掺入微量的某种特定的杂质元素,精确控制它的导电能力,用以制作各种各样的半导体器件。 
首先半导体导电性能介于导体与绝缘体之间的材料~ 光电材料能把电变成光,也有的能把光变成电,还有的能对光和电的信号进行各种处理和放大。
半导体光电结构材料及其应用,厦门大学学报,50⑵,203-209(2011) 不同结构参数氮化镓基发光二极管芯片出光的蒙特卡罗方法模拟,厦门大学学报(自然科学版)48⑶,326-329(2009)GaN薄膜光学常数的椭圆偏振光谱研究,福州大学学报(自然科学版) 35(S1) 15-18 (2007)具有缺陷态的二维光子晶体通讯波长滤波器的结构优化设计,福州大学学报(自然科学版) 35(S1) 19-23 (2007)AlN薄膜的椭圆偏振光谱模型研究,福州大学学报(自然科学版) 35(S1) 11-14 (2007)InGaN量子阱的微观特性(英文) 发光学报,28(01): 99-103 (2007)GaN半导体中InN量子点的结构性质(英文) 发光学报 28(01): 88-92 (2007)金属-半导体超晶格中的金属费米能级和半导体平均键能,半导体学报,27⑸,834-839(2006)高性能计算集群系统的设计和实现,厦门大学学报(自然科学版),43⑹,879-881(2004)金属-半导体超晶格中界面电荷的生成机制,物理学报,53⑼,2925-2930(2004)金属-半导体接触势垒高度的理论计算,固体电子学研究与进展,23⑷,412~415,453(2003)Schottky势垒中的电中性能级、平均键能和费米能级,厦门大学学报(自然科学版),42⑸,586-590(2003)二维磁性纳米结构材料的Monte Carlo 模拟,厦门大学学报(自然科学版),42⑵,189-192(2003)Schottky势垒高度理论计算中的平均键能方法,物理学报,52⑶,542-546(2003)TiNx系统的电子结构及所关联的光学性质,量子电子学报,20⑴,109-113(2003)自由电子能带中的平均键能与费米能级,固体电子学研究与进展,22⑴,1-4(2002)平均键能方法在应变层异质结带阶计算中的简化模型,发光学报,22⑵,182-186(2001)一种由自由电子能带模型计算费米能级的方法,发光学报,22⑵,172-174(2001)平均键能Em的物理内涵探讨,物理学报,50⑵,273-277(2001)