chenmei35
半导体物理迅速发展及随晶体管发明使科家早50代设想发明半导体激光器60代早期组竞相进行面研究理论析面莫斯科列别捷夫物理研究所尼古拉·巴索夫工作杰19627月召固体器件研究际议美麻省理工院林肯实验室两名者克耶斯（Keyes）奎斯特（Quist）报告砷化镓材料光发射现象引起通用电气研究实验室工程师哈尔（Hall）极兴趣家火车写关数据家哈尔立即制定研制半导体激光器计划并与其研究员道经数周奋斗计划获功像晶体二极管半导体激光器材料p-n结特性敞弗搬煌植号邦铜鲍扩基础且外观亦与前者类似半导体激光器称二极管激光器或激光二极管早期激光二极管实际限制例能77K低温微秒脉冲工作8间才由贝尔实验室列宁格勒（现圣彼堡）约飞（Ioffe）物理研究所制造能室温工作连续器件足够靠半导体激光器则直70代期才现半导体激光器体积非米粒工作波依赖于激光材料般6～55微米由于种应用需要更短波器件发展据报导Ⅱ～Ⅳ价元素化合物ZnSe工作物质激光器低温已46微米输波50～51微米室温连续器件输功率已达10毫瓦迄今尚未实现商品化光纤通信半导体激光预见重要应用领域面世界范围远距离海底光纤通信另面则各种区网者包括高速计算机网、航空电系统、卫通讯网、高清晰度闭路电视网等目前言激光唱机类器件市场其应用包括高速打印、自由空间光通信、固体激光泵浦源、激光指示及各种医疗应用等晶体管利用种称半导体材料特殊性能电流由运电承载普通金属铜电导体电没紧密原核相连容易电荷吸引其物体例橡胶绝缘体 --电良导体--电能自由运半导体名字暗示处于两者间通情况象绝缘体某种条件导电 
（1）①同一周期元素，元素的第一电离能随着原子序数的增大而呈增大趋势，但第IIA族、第VA族元素第一电离能大于相邻元素，As和Se属于同一周期元素，且As属于第VA族元素、Se属于第VIA族元素，所以第一电离能As＞Se，故答案为：＞；②SeO2中Se原子价层电子对个数=2+1 2 ×（6-2×2）=3且含有一个孤电子对，所以其空间构型为V形，故答案为：V形；③砷化铝晶体结构与硅相似，硅晶体中每个硅原子和四个硅原子形成四个共价键，所以在砷化铝晶体中，每个Al原子与4个As原子相连，故答案为：4；（2）①钙原子最外排入的电子是s电子，所以在周期表中Ca处于周期表s区，故答案为：s；??②Cu是29号元素，其原子核外有29个电子，根据构造原理知其原子核外电子排布式为：1s22s22p63s23p63d104s1，故答案为：1s22s22p63s23p63d104s1；③由晶胞结构可知，Ca原子处于顶点，晶胞中含有Ca原子数目为8×1 8 =1，Cu原子处于晶胞内部与面上、面心，晶胞中Cu数目为1+4×1 2 +4×1 2 =5，故该合金中Ca和Cu的原子个数比为1：5，镧镍合金、铜钙合金及铈钴合金都具有相同类型的晶胞结构XYn，所以LaNin中，n=5，氢在合金中的密度=5×1 NA 0×10?23 g/cm3=083g/cm3，故答案为：5；083g/cm3；（3）A．元素的非金属性越强，其电负性越大，钙的金属性小于锶，则钙的电负性大于锶，故错误；B．C60中每个碳原子含有3个σ键，所以采用杂化方式为sp2，故错误；C．Ca32C60储氢过程中没有新物质生成，发生物理变化，故错误；????D．吸附相同数目氢分子时，储氢质量分数M32C60的相对分子质量成反比，Ca32C60的相对分子质量小于Sr32C60高，则吸附相同数目氢分子时，储氢质量分数Ca32C60比Sr32C60高，故正确；故选D．
