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4。氮化硅半导体的导电性控制 41。发现在赣江和实现电学传导 p-n 963交界处的蓝色LED 许多团体企图制造p型赣但 没有成功。成功的控制的水晶 干质量，我们可以开始工作在电学兴奋剂。 使用LT-AlN缓冲层，剩余的分布 干也大幅缩短如上所述。 但尽管在Zn-doping不懈努力，它不是 可能产生(干。1987年，我们发现 Zn-related发光强度大大增加，当 高质量的LT-AlN Zn-doped干了缓冲 用电子束辐照很cathodoluminescence期间 (CL)测量(21)。我们认为做那件事 这种现象(名叫兄效果)(21)可能是紧密相联 有关Zn-acceptors激活，因此与ptype 办理。但晶体(没有显示 办理。同时，在1988年，我们发现毫克的可能 是一个较浅，因为它比锌及其 是大于锌(22)。在1989年，我们成功了 Mg-doping使用高质量的Cp2Mg或MCP2Mg干 作为一个Mg-dopant保持较高的结晶 采用优质LT-AlN缓冲层技术[m]北京:23]。 然后诱导下镓样品 电子束的一样Zn-doped样品。 我们发现大大增加了蓝色光的Mgdoped 干样品(1750效果)以及样品 在低电阻率(24)。963[m]北京:立刻， 实现了世界上第一个干p-n结蓝色/紫外线 以鼓励电流-电压特性在1989年(24)，如图所示 在图5。我们取得AlGaN(1991年(25)和p型 在1995年GaInN[26]以相同的方式。1992年，ptype 干也是Mgdoped产生的热退火 与LT-GaN 963缓冲层生长 中村李玮。[27]。后来，p型干了 (28)所获得的紫外线照射或电磁波 第二十九条、第三十条][在高温下400操练。 实现电学是必要的氮化物、活化毫克 通过释放氢气的杂质，32(31)。但是，我们应该做的 先大幅降低残余的捐赠者之前解决 问题相关的氢钝化的杂质。 
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